基于DFT的ZnO纳米棒阵列气敏机理研究与性能调控

来源 :武汉理工大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xiangceng666
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气体传感器是检测或监测特定气体种类和浓度的装置,在工业生产、快速医疗诊断、物联网等领域应用前景十分广阔。金属氧化物半导体(Metal Oxide Semiconductors,MOSs)纳米材料具有响应值高、集成度高、成本低等优势,一直是气敏材料领域研究的热点。基于现有对MOSs气敏机理的认识,各种调控方法有效改善了MOSs的气敏性能。然而,工作温度高和选择性差仍然是MOSs难以克服的问题。解决这些问题的关键还是需要从气敏机理入手。基于DFT的第一性原理模拟(DFT模拟)具有从原子和电子尺度揭示气敏
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