本论文系统介绍了ATO(锑掺杂氧化锡)纳米导电粉体的特性,导电机理以及常见制备方法。ATO导电粉体具有良好的导电性,浅色透明性等优点,是目前抗静电材料中的研究热点,有广阔的市场应用前景。本实验以SnCl4·5H2O和SbCl3为主要原料,采用水热法制得纳米级ATO导电粉体。运用X-射线衍射(XRD),透射电镜(TEM)等测试方法对ATO粉体进行表征。并对粉体的导电性进行测试。研究了制备工艺(Sb/Sn摩尔比,反应pH值,水热反应温度)对ATO粉体粒径和导电性能的影响,并探讨影响机理,得到最佳工艺参数,即Sb/Sn摩尔比为7%,反应pH值取2,水热反应温度在180℃。在此条件下制得ATO电阻率为2.1(?·cm),粒径为6.1(nm)。水热法很好地解决制备过程中存在的团聚问题,对粉体分散性能有较好改善,制得粉体没有明显团聚现象介绍了氧化物掺杂对ATO导电性改变的作用机制。以最佳工艺参数条件下制得的ATO粉体作为参考标准,研究了不同氧化物(氧化锰,氧化钛,氧化锌)的掺杂对ATO粉体粒度和导电性能的影响:掺杂氧化锰,氧化钛,氧化锌粉体的电阻率分别降低了59.2%,17.6%,62.8%。掺杂氧化钛对粉体粒径影响不大,而掺杂氧化锰及氧化锌将会增大粉体的粒径。将产品与国内同类产品性能进行对比,在最佳工艺条件下制得的样品电阻率为2.1(Ω·cm),导电性能远远优于国内同类产品(10Ω·cm左右)。本次研究是对纳米ATO粉体制备的一种新探索,取得了显著的成效。