金属硅化物在集成电路制造技术中起着非常重要的作用。金属硅化物主要应用在源漏电极和硅栅电极与金属之间的接触。其中自对准硅化物(self-aligned silicide)工艺已经成为近期的超高速CMOS逻辑大规模集成电路的关键制造工艺之一。该工艺减小了源/漏电极和栅电极的薄膜电阻,降低了接触电阻,并且缩短与栅极相关的电阻电容延迟(RC delay).随着半导体器件技术的不断发展。为了迎合不断缩小的线宽尺寸,金属硅化物工艺也在不停地完善。对于45nm及以下技术节点的半导体工艺,镍硅化物成为了主流。相对之前使用的两种材料,镍硅化物具有更小的线宽效应,较少的耗硅量等优点。镍硅化物对比之前两种硅化物具有很多优点,但是它对制程的控制和整合也提出了更高的要求。镍硅化物敏感温度相对较高。硅化物之后的工艺温度受到极大限制。工艺的热预算值也必须更加精确。镍硅化物整合的另一个挑战是接触面漏电流的增大,原因是镍硅化物与硅之间存在缺陷或界面过于粗糙。因此对于镍金属镀膜之前晶片表面的清洁状况及缺陷控制的要求十分严格。如果表面清洁状况不理想,很容易形成诸如针状等缺陷,从而造成器件漏电。镍金属沉积之前的预清理过程的优化十分重要。在镍金属中掺入一定量的铂,从而提高镍硅化物的稳定性,降低漏电。本文主要讨论镍合金金属前的晶圆预清理工艺,以及Ni硅化物工艺的优化,从而减少产品上的缺陷。