量子点敏化太阳能电池由于制备工艺简单、成本低和理论转换效率高等优点成为当今科学研究的热点。目前,在量子点敏化太阳能电池结构中常用的宽带隙半导体氧化物主要有TiO₂、ZnO和SnO₂。但由于它们禁带宽度较大,所以只能吸收紫外光,从而影响电池的光电转换效率。为了解决这一问题,常用的方法就是采用窄带隙半导体作为敏化剂与氧化物进行复合。本文则使用窄带隙半导体CdSe（1.7 eV）代替宽带隙半导体氧化物作为量子点敏化太阳能电池的基底,同时使用PbS（0.4 eV）和Ag₂S（1.1 eV）量子点作为敏化剂与其进行复合,最终实现了CdSe光电极的光吸收范围的拓宽和光电转换性能的提升。本论文开展了以下三个方面的工作。1.采用电沉积法制备出CdSe纳米棒阵列薄膜,经一定温度退火处理后,采用连续离子层吸附法分别以PbNO₃和Na₂S作为Pb⁺和S^2-的离子源对CdSe纳米棒阵列进行敏化,制备出CdSe/PbS纳米复合材料。随后对样品进行了一系列表征,并探究其光电转换性能。实验结果表明:当PbS量子点敏化圈数达到6圈时（CdSe/PbS（6C））,光电流密度最大,其值为6.25 mA/cm²,光电转换效率为1.2%。2.为了减少光生电子-空穴对的复合,进一步提升CdSe/PbS光电极的光电转换性能,则采取在CdSe/PbS光电极上添加ZnS钝化层的方法。采用连续离子层吸附法分别以Zn（CH₃COO）₂和Na₂S作为Zn²⁺和S^2-的离子源制备出CdSe/PbS/ZnS纳米复合材料。随后对样品进行了一系列表征,并探究其光电转换性能。实验结果表明:与纯CdSe和CdSe/PbS纳米复合材料相比,CdSe/PbS/ZnS纳米复合材料的光电流密度有明显提高,其值为9.44 mA/cm²,光电转换效率为2.8%。3.采用连续离子层吸附法分别以AgNO₃和Na₂S作为Ag⁺和S^2-的离子源对CdSe纳米棒阵列进行敏化,制备出CdSe/Ag₂S纳米复合材料。随后对样品进行了一系列表征,并探究其光电转换性能。实验结果表明:当Ag₂S量子点敏化圈数达到5圈时（CdSe/Ag₂S（5C））,光电流密度最大,其值为36.88 mA/cm²,光电转换效率为6.8%。