随着无人驾驶、人工智能和机器人产业的发展,市场上对功率器件的需求日益迫切,因此对功率器件的研究也显得愈发重要。击穿电压作为功率器件最重要的参数之一就是,很大程度上限制着功率器件的应用范围。在横向功率器件LDMOS和JFET中,Resurf技术常常被用来降低器件的表面电场,缓解击穿电压和导通电阻之间的矛盾。在整流电路中,TMBS凭借优异的高频特性和其结构参数的易调性,受到了广泛的关注。功率TMBS属于分立器件,分立器件的耐压常常会受到边端结构耐压的限制。在TMBS的边端区域,由于没有了重复cell的保护,器件边端的耐压往往低于cell的耐压。对于TMBS来说,沟槽型的边端结构能够在一定程度上减小工艺复杂度,降低TMBS的制造成本。本文针对于NJFET的耐压和TMBS的边端耐压进行了研究,内容如下:首先,借鉴Resurf技术的思想来提高NJFET的耐压。基于60V NJFET的结构提出了P-BOT-NJFET结构,它的主要特点是通过在Gate与Drain之间的衬底上注入P型杂质引入P-BOT层,通过P-BOT层的辅助耗尽来避免NJFET横向过早的击穿,从而提高NJFET的漏源击穿电压。利用Sentaurus TCAD仿真平台,模拟仿真NJFET工艺的关键步骤并对击穿电压进行数值仿真,结果表明,在相同的N-Well掺杂浓度下,本文提出的结构击穿电压达到104V,与60V NJFET结构相比耐压提高了57.6%。另外,讨论了P-BOT的设计参数与NJFET耐压的关系,包括P-BOT分别与PBody和Drian之间的距离、P-BOT的开窗大小和注入剂量。其中,注入剂量以及PBOT与P-Body和Drian之间的距离与耐压的关系较为密切。其次,讨论了TMBS边端耐压的部分影响因素。利用Sentaurus TCAD仿真平台,模拟仿真了应用在TMBS沟槽型边端的工艺流程,讨论了沟槽深度、宽度和场板长度对耐压的影响。结果表明,当场板完全覆盖整个沟槽时,耐压达到最大。边端结构中的“MOS Spacer”会影响耐压和场板的关系;随着沟槽宽度的增大,耐压增大到最大值后,不再变化;不同的沟槽宽度下,耐压与沟槽深度会有不同的关系。