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近几年来，掀起又一场信息技术革命的物联网得到爆炸性的发展，吸引了来自科技界和工业界越来越多的目光。作为信息技术业发展的第三个高潮，物联网也因此被越来越多的人看作是全世界极具经济效益和前景的朝阳产业。物联网具有感知、监控和智能控制等功能，广泛应用于经济、生活以及公共安全的各个方面。业界对物联网技术需求的不断增大和严苛要求，使得物联网通信系统射频趋向小型化、低功耗、低成本等方向发展，而得益于新材料的创新和CMOS工艺不断发展，物联网通信射频前端低成本和小尺寸的要求得以实现，然而低功耗设计越来越成为物联网广泛应用的瓶颈，研究发现，射频前端的压控振荡器(VCO，Voltage Controlled Oscillator)相对于其他模块消耗更多能量，因此压控振荡器功耗问题成为研究的关键。 压控振荡器作为无线通信系统的关键模块之一，低功耗压控振荡器一直是近几年学术界研究的热点，近几年发表的论文中采取各种方法实现低功耗，如采用无电流源结构去除电流源消耗的能量，或通过降低电源电压来减小功耗。 针对物联网系统射频前端的特定需求，本论文提出一种基于UMC65nm CMOS工艺的新型超低功耗C类PMOS压控振荡器，该新型偏置控制网络解决了C类LC压控振荡器的起振问题和稳态保持问题，振荡器起振后通过动态偏置回路将其锁定在C类状态。动态偏置回路包含幅度检测、锁存器、反相器和偏置控制等模块，动态偏置回路自动改变偏置电压，将振荡器从初始的AB类钳制在C类稳定工作，并关闭动态偏置控制回路。在电路设计中为降低整个电路的功耗，去除尾电流源并采用了电压偏置结构。通过在Candence环境下进行仿真验证，在0.6V电压供电下振荡器的功耗低至0.5mW，相位噪声为-115dBc/Hz@1MHz，调谐范围为2.33～2.50GHz，FOM达到-186，综合性能有较强竞争力。