碳化硅作为新时代下发展迅猛的吸波材料,以其优良的耐腐蚀、质轻、化学稳定性好等性能而被人们认为具有极佳的应用前景。相较于微米碳化硅,纳米碳化硅力学性能更好,烧结所得到的陶瓷更加致密。且由于其具有更高的比表面积,表面悬挂键的相互作用会有效提升材料的界面极化,使得纳米碳化硅具有更强的吸波性能。然而当下在实际应用中,碳化硅材料的制备却多以微米级碳化硅粉体为主,纳米级碳化硅的简便低成本制备一直是急需解决的问题。除此之外,在诸多特殊条件下耐高温吸波材料的应用需求也非常迫切,而当下的研究中没有有效的制备耐高温吸波材料的工艺,这便成为了限制碳化硅复合材料应用的难题之一。本论文以探索纳米级碳化硅粉体的制备为出发点,采用简单的固相烧结法制备出了纳米级的碳化硅粉体,并通过改变制备中的工艺参数研究了不同工艺下制备出的粉体的特点并确定了最佳的制备工艺。而后以制备出的粉体为吸波剂,采用真空浸渍及涂覆的方法分别制备了结构型/涂覆型碳化硅复合材料,并对所制备不同材料的形貌、物相及吸波性能进行了表征与测试。论文首先研究了制备中烧结气氛、烧结温度、容积率、原料的粒径、混合方式对制备碳化硅纳米粒子的影响,确定了采用纳米级二氧化硅、球磨混合的方式放置容积率20%的粉体、1600℃氩气气氛下烧结效果最佳。随后在对材料的吸波性能研究中,实验表明2h为最佳除碳时间,但除碳过程会明显降低粉体的吸波性能,含钴物质的共混烧结会有效的提升粉体的吸波性能,并确定了钴粉共混一组吸波性能提升最为明显,在d=1.74 mm,12.2 GHz处有最大反射损耗为-67.61 dB。最后在碳化硅纳米复合材料的制备上,实验中分别改变了不同的吸波剂、胶黏剂体系及厚度、透波层的引入等不同工艺参数制备出了结构型及涂覆型的吸波材料。研究表明在引入透波层、吸波剂固含量为30%、涂覆层厚度在3 mm时,涂覆型材料表现出最佳的吸波性能,在17.50 GHz处有最大反射损耗为-32.67 dB,有效吸收频带达到了7.41 GHz。通过对不同复合材料工艺参数与吸波性能之间关系的研究,表明对于SiC复合材料的制备,吸波剂固含量及透波层的引入对最终复合材料的吸波性能提升有着至关重要的影响。