白光电致发光二极管（White light-emitting diode,WLED）因为其光线柔和,色温可调,节能环保,可大面积制备以及可应用在柔性基底上等特点被视为下一代固态光源最具竞争力的候选者。当前,基于有机发光层和胶体半导体纳米晶的WLED受到了广泛关注。但是,前者大多采用真空蒸镀的方式制备原型器件,不利于大面积和柔性基底上的制备;而后者虽然解决了溶液制备的问题,但又受限于大部分半导体纳米晶含有对环境产生破坏的重金属元素。为了解决上述问题,本论文选用多元铜基硫族半导体纳米晶与不同类型的蓝光材料混合作为发光层构筑高显色指数（Color rendering index,CRI）的WLED。多元铜基硫族半导体纳米晶具有低毒性、发光光谱较宽以及制备工艺简单等优点,在构筑环保型高显色指数的WLED领域具有潜在的应用前景。本论文围绕着基于黄光Cu-In-Zn-S（CIZS）/ZnS纳米晶和不同蓝光材料混合体系的WLED性能开展研究,采用全溶液处理的方法构筑了显色指数高、电致发光（Electroluminescence,EL）光谱稳定且效率滚降较低的白光电致发光器件。具体的研究内容如下:1、采用全溶液法构筑了基于黄光CIZS/ZnS纳米晶和具有空穴传输特性的聚合物TFB的双发光层结构的WLED,其中CIZS/ZnS被夹在两层TFB之间形成了类“三明治”结构。该结构使得分别作为空穴传输层和发光层的两层TFB不接触,避免了激子复合发生在作为空穴传输层的TFB中,同时也有效抑制了载流子隧穿猝灭现象。通过有效调控第二层TFB的厚度,使得载流子复合发生在CIZS/ZnS层和第二层TFB中,最终得到了CRI高达91,色坐标为（0.33,0.33）的WLED器件。并且,该器件的最高亮度可达680 cd/m~2,启亮电压仅为2.2 V。更为重要的是,器件的EL光谱在不同工作电压下都较为稳定,色坐标几乎保持不变。该工作通过双发光层的设计得到了不同工作电压下光谱稳定的WLED,为基于CIZS/ZnS纳米晶的WLED构筑提供了新的思路。2、为了得到性能更高的WLED,选择具有良好溶液处理特性的聚芴蓝光材料PODPF与黄光CIZS/ZnS纳米晶的混合物作为发光层构筑WLED。通过调控混合发光层的比例,得到了色坐标为（0.31,0.34）,显色指数为85的WLED器件,器件的最高亮度为1495 cd/m~2,峰值EQE可达0.14%。之后,为了更好的提高混合层薄膜的平滑度,使用含氧侧链修饰的PC9O4代替PODPF,并在此基础之上优化载流子传输层,选择Poly-TPD作为空穴传输层和Zn O-Mg作为电子传输层构筑了基于PC9O4和CIZS/ZnS纳米晶混合层作为发光层的WLED,最终该器件最高亮度达到2154 cd/m~2,而峰值EQE提升到1.03%。3、为了解决有机物和纳米晶混合薄膜出现聚集而使得WLED器件效率滚降较大的问题,选择具有聚集诱导发光效应（Aggregation-induced emission,AIE）的小分子TPE-4Cl与CIZS/ZnS纳米晶混合,并将其作为发光层构筑了WLED。该器件的色坐标为（0.30,0.33）,显色指数为87,器件的最大亮度为265 cd/m~2。由于TPE-4Cl的引入解决了聚集猝灭问题,器件在不同工作电压下的EL光谱表现稳定,同时器件也表现出较低的效率滚降。之后,为了进一步提升WLED的性能,使用双TPE基蓝光性能更好的BTPE来替代TPE-4Cl,采用全溶液法构筑了相同载流子传输层结构的WLED,通过调控发光层混合比例,得到了不同色温的多种白光器件,其中暖白光器件的亮度达到了3502 cd/m~2,平衡白光器件的最大亮度达到1100 cd/m~2。并且这些白光器件都展示出了极低的效率滚降。该工作通过AIE分子的引入,有效解决了CIZS/ZnS纳米晶在制备薄膜过程中因为聚集猝灭而导致器件效率滚降大的问题,并且首次采用全溶液法构筑了基于AIE材料和无镉纳米晶混合层作为发光层的WLED器件,为基于CIZS/ZnS纳米晶的WLED提供了新的白光构筑思路。4、为了探索基于全无机发光层的WLED器件,采用蓝光Cu-Ga-Zn-S（CGZS）/ZnS与黄光CIZS/ZnS纳米晶混合作为发光层构筑了WLED。当CGZS/ZnS:CIZS/ZnS的质量比为25:1时,并通过进一步优化使得器件的色坐标为（0.30,0.32）,显色指数值高达93,最大亮度达到1062 cd/m~2,最大EQE为1.15%。值得一提的是,该器件表现出很低的效率滚降,当器件亮度在500 cd/m~2时其EQE仍保持在1.09%。该工作展示了以全无机多元铜基纳米晶作为发光层的WLED器件在高电流密度和高亮度下依然具有较高的发光效率,表明了无机纳米晶在WLED器件方面的优势,为后续进一步优化基于全无机发光层的无镉WLED奠定了基础。