单片宽带低噪声放大器采用负反馈式宽带放大器架构,拓展了工作带宽,同时利用两级放大器级联达到宽频带内低噪声系数的目的。并且借助pHEMT优异的高频特性,可以获得低噪声,高增益及高线性度的输出。本文主要采用的方法与技术如下:(1)文中提出了消除低频振荡的一种实际解决方案;(2)利用负反馈技术实现了最小噪声与最大增益同时匹配;(3)采用了频带拓展技术,比较了并联峰化与串联并联峰化对拓展带宽的效果;(4)利用自偏置供电,避免使用负电压,简化设计文中主要设计了一种工作于2~6GHz频带的宽带低噪声放大器,电路采用耗尽型晶体管,并且两级均设计有负反馈回路,采用自偏置供电。本论文主要为实现工作于IMT-Advanced系统的单片宽带低噪声放大器电路。本电路采用0.5μm GaAs pHEMT MMIC设计流片。宽带低噪声放大器利用PCB板上测试的方法进行测试,测试得到的结果为S21大于17dB,S11小于-5dB,S22小于-10dB,S12小于-26dB,而噪声系数(Noise Figure)小于2.8dB,芯片面积为1.5×0.7mm~2。