随着电力电子技术的快速发展，逆变器已被广泛地应用在工业、民用等各个领域。如何进一步地提高逆变器性能成为了逆变技术研究领域的重点。大部分的研究通过电路结构或控制技术的优化来提高逆变器性能。但是从逆变技术的发展历史看，每一次逆变技术阶跃式的发展都离不开新型功率器件的出现，因此，选用新型器件成为提高逆变器性能的有效途径。碳化硅（SiC）作为一种新型的材料，具有禁带宽度宽、耐高温和临界击穿场强高等优点。用碳化硅制作的肖特基二极管，不但耐压值高、能够在高温下工作，更重要的是相比传统的硅p-i-n二极管其反向恢复现象可忽略不计。用碳化硅肖特基二极管作为逆变器的续流二极管，不但可以减小二极管自身损耗，而且可以有效地减小开关器件的开关损耗，从而提高逆变器的性能。首先，详细地讲述了开关器件和续流二极管的工作原理，分析了其在逆变器工作中的损耗，并介绍了新型器件碳化硅功率MOSFET和碳化硅肖特基二极管。其次，分别应用碳化硅肖特基二极管与传统的硅p-i-n超快恢复二极管作为续流二极管，在相同条件下进行了SPWM全桥逆变器的PSpice仿真并对比了仿真结果，结果表明使用碳化硅肖特基二极管能显著地减小逆变器的损耗。最后，设计了一款基于碳化硅肖特基二极管的逆变器，并对该电路进行了测试：在输出功率为100W的负载条件下，对比了使用SiC肖特基二极管和Si二极管的电路性能。结果表明，使用SiC肖特基二极管作续流二极管，能够提高逆变器的逆变效率，并且二极管工作温度更低，有更好的温度特性。结果验证了设计的正确性以及碳化硅功率器件的优越性。