本文选取0.25Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-0.15Pb(Ni_1/3Nb_2/3)O₃-（0.6-x）PbZrO_3-xPbTiO₃（简称PMN-PNN-PZT）体系压电陶瓷作为研究对象,研究了Ti/Zr对系统准同型相界及压电、介电性能的影响。通过研究得出:当Ti/Zr介于1.55和1.655之间时,物相由三方相向四方相转变,系统处于准同型相界处。材料性能尤以Ti/Zr=1.643时最好:ε₃₃^T/ε₀=3384、d₃₃=477pC/N、K_p=0.56、Q_m=82、tanδ=2.3%、T_c=205℃。通过对比前驱体合成工艺与传统的氧化物混合合成工艺对系统相结构、微观形貌、压电和介电性能的影响发现:前驱体合成工艺能更好的避免焦绿石相的生成,有效保证化学计量比的稳定,并能抑制内部晶粒的过大生长和促进晶界致密化,对压电陶瓷性能的提升较为明显。另外,本文还研究了烧结温度对压电陶瓷系统微观结构和性能的影响,结果表明:最佳烧结温度是1180℃。此时晶粒生长的均匀致密,粒径大小在（3～5）μm。此烧结温度下测得压电陶瓷样品的体积密度最大,为7.89g/cm³,气孔率最低,为3%。最后,本文还对不同氧化物掺杂剂对PMN-PNN-PZT体系压电陶瓷的掺杂改性进行了研究。通过分析掺杂物La₂O₃,ZnO和CeO₂对材料性能的影响,并结合X衍射分析图和扫描电子显微镜图得出:La₂O₃最佳的掺杂量为0.6wt%,ZnO最佳的掺杂量为0.4wt%,CeO₂的最佳掺杂量为0.10wt%,过多的掺杂物将在晶界处偏析,影响材料的性能。比较各掺杂物的影响结果,以0.10wt% CeO₂的掺杂对材料性能的提升最为明显:ε₃₃^T/ε₀=3640、d₃₃=507pC/N、K_p=0.61、Q_m=116、tanδ=1.0%、T_c =222℃。CeO2掺杂能促进晶粒的生长,最大晶粒直径能达到20μm,它对材料性能的影响总体表现出“软性掺杂”和“硬性掺杂”的特性。