SiC CVD工艺过程研究及人工神经网络建模

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该文自行设计并制造了一套多参数可控的小型SiC化学气相沉积炉,可对沉积温度、H:Si比、H<,2>气及Ar气流量进行准确的控制.研究了单向C/C复合材料制备过程中的预氧化处理对纤维及单向C/C复合材料性能及表面形貌的影响.研究表明:340℃~420℃条件下的空气氧化可有效地改善碳纤维表面特履,同时对纤维的强度不造成明显的降低.经液相氧化24h处理后,可在单向C/C复合材料中得到最大的纤维强度的利用率.系统地研究了在1000℃~1100℃温度范围内,SiC沉积参数对沉积速率的影响.通过分析在不同工艺条件及基体材料上SiC的沉积形貌,发现经预处理后的纤维所制备的C/C复合材料表面更有利于SiC的均匀生长,并首次在材料表面观察到SiC晶须以网状形态平行表面生长.首次采用人工神经网络,建立了SiC化学气相沉积过程模型,验证样本的神经网络输出值与实验测试值之间的误差小于0.35%.同时利用神经网络在较大范围内就工艺参数对沉积速率的影响进行了预测,所得结果与实验数据的正交分析结果完全一致,并更加全面.
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