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目的：通过观察头穴丛刺法对慢性脑缺血损伤大鼠学习记忆能力及HIF-1α、VEGF表达的影响,探讨头穴丛刺治疗慢性脑缺血致学习记忆障碍的作用机制,为临床应用头穴丛刺治疗该病提供理论依据,以更好的指导临床。方法：利用Morris水迷宫筛选出学习记忆能力正常的Wistar大鼠72只,随机分为空白对照组(A)、假手术组(B)、和手术组。手术组采用改良的双侧颈总动脉结扎法(2VO)制备慢性脑缺血致学习记忆障碍大鼠模型,术后4周,再通过Morris水迷宫检测大鼠的学习记忆能力,将造模成功的大鼠分为模型组(C)、尼莫地平组(D)和头穴丛刺组(E)。A组、B组和C组不予治疗。D组给予尼莫地平1mg/kg灌胃,每天1次,治疗4周。E组采用头穴丛刺法,取百会和百会左右旁开2mm三个穴位,留针30min,每日1次,治疗4周。术后8周(治疗后4周)再次采用Morris水迷宫检测大鼠的学习记忆能力；光镜下观察额叶皮层、海马组织病理学变化；免疫组化检测额叶皮层、海马HIF-1α、VEGF蛋白表达；RT-PCR检测额叶皮层、海马HIF-1α、VEGFmRNA表达。结果：1.Morris水迷宫检测结果：术后8周A组和B组相比无显著性差异(P>0.05)；C组、D组和E组大鼠学习记忆能力明显下降,与A组相比差异显著(P<0.05)；D组和E组与C组相比,具有显著性差异(P<0.05),大鼠的学习记忆能力有所提高；D组和E组相比无显著性差异(P>0.05)。2.HE染色结果：A组和B组未见明显病理学变化,C组可见大量神经元细胞固缩,胞体形态不规则,胞浆浓缩深染,核仁变小或消失,细胞周围可见明显的空壳区；D组和E组神经细胞排列层次及细胞形态较清晰,少见固缩细胞,与C组相比脑组织损害程度明显减轻；而D组与E组相比,固缩细胞数量明显多于E组3.HIF-1α、VEGF免疫组化染色结果：A组和B组神经细胞数量形态分布正常,排列紧密有序,细胞核圆而大,染色浅,核仁清晰,偶见HIF-1α、VEGF阳性细胞表达,两者比较无显著性差异(P>0.05)；C组、D组和E组均可见HIF-1α、VEGF表达增高,与A组比较差异显著(P<0.05)；而D组和E组较.C组表达更高,有显著性差异(P<0.05)；D组与E组相比,后者阳性细胞表达率明显升高,差异有统计学意义(P<0.05)。4.HIF-1α、VEGF RT-PCR检测结果：A组和B组HIF-1α、VEGF mRNA表达极弱,两组相比无显著性差异(P>0.05)C组、D组和E组均出现HIF-1α、VEGF mRNA扩增条带,表达丰度明显高于A组,差异显著(P<0.05)；而D组和E组的表达较C组高,差异有统计学意义(P<0.05)；与D组相比,E组表达量更高,差异显著(P<0.05)。结论：1.采用改良的2VO法制作慢性脑缺血致学习记忆障碍大鼠模型,并通过Morris水迷宫从行为学和HE染色从组织学两方面予以评价,模型成功、可靠。2.头穴丛刺可提高慢性脑缺血致学习记忆障碍大鼠的学习记忆成绩,改善额叶皮层、海马组织病理学变化,减少神经元死亡,从而改善大鼠的学习记忆能力3.头穴丛刺可能通过上调HIF-1α和VEGF的表达,促进血管和神经元的再生,从而发挥脑保护功能。4.头穴丛刺可应用于慢性脑缺血致学习记忆障碍的防治,有望成为慢性脑缺血致学习记忆障碍防治新的治疗方法之一。