数字信号在其传输、存储的过程中,由于受到各种噪声和干扰的影响,可能发生错误,为了提高信息传输和存储的可靠性,必须采用合适的差错控制技术。近年来由于各种手持设备的流行,带动了Flash存储器的广泛使用,然而由于自身的物理特点,Flash存储器的稳定性较差,经过多次擦写之后,发生错误的概率逐渐增加,为保证数据存储的正确,必须采用合适的纠错码技术。由于BCH码具有较强的纠正随机错误的能力,而且编解码比较简单,很适合用作Flash存储器的纠错码。首先,本文针对Flash存储器的特点,设计了并行化的线性反馈移位寄存器、并行化的钱搜索电路,以及实现了求解错误位置多项式的BM迭代算法,并利用上述模块构造了一个并行化的、最高纠错能力为8位的BCH编解码器,大大加快了BCH编解码速度。其次,介绍了SystemVerilog语言和VMM验证方法学,建立了一个基于VMM方法的验证平台,利用此验证平台对上述BCH编解码器进行了事务级的、随机化的、覆盖率驱动的功能验证,对编解码速度和解码错误概率进行了统计分析,并进行了FPGA验证。最后,对上述BCH编解码器依次进行了逻辑综合、形式验证、时序分析、动态仿真和功耗分析等工作,证明此BCH编解码器功能正确,并能够工作在最高50MHz的时钟频率下,完全满足Flash存储器的应用需求。