本文以VO2薄膜为研究对象,采用磁控溅射法在普通玻璃、石英玻璃和Si02/Si(100)基片上沉积金属V膜,然后分别在空气及氧气气氛中用热氧化法探索制备具有相变性能的VO2薄膜的条件。用x-射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)、紫外-可见(UV-Vis)分光光度计、X-射线光电子能谱仪(XPS)和自组装电阻—温度测试装置等,分析氧化温度和不同基片对薄膜的微观结构、光学性能、电学性能、相变温度及其组分的影响。结果表明：1.以普通玻璃为基片,沉积膜厚为300nm金属V膜,将其在空气中进行热氧化。在热氧化温度分别为400℃、450℃时,进行热氧化1h,得到具有相变性能的VO2薄膜。其中热氧化温度400℃获得的VO2薄膜,相变温度Tc约为50℃,热滞宽度ATs约为10℃,测试温度超过60℃时近红外光学透过率接近O。2.以普通玻璃为基片,沉积不同厚度的金属V膜,将其在氧气气氛中进行热氧化。发现当金属V薄膜厚度较厚,热氧化形成具有相变性能的VO2薄膜时,热氧化温度范围较宽,且突变性能相对较好。3.在石英玻璃和SiO2/Si(100)基片上,在金属V膜厚度、氧化气氛和氧化温度等相同条件下制备VO2薄膜,发现在石英玻璃基片上的样品具有相变性能,但在SiO2/Si(100)基片上的样品没有相变性能。其中以石英玻璃为基片,300nm金属V膜在空气中400℃热氧化具有良好的光学突变性能,相变温度Tc约为60℃,热滞宽度△Ts为16℃,近红外光学透过率突变高达50%,可见光的透过率接近40%。