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为了研究CeCuGa各向异性,对CeCuGa薄膜制备工艺做了初步的探讨.采用溅射镀膜方法,在石英基片上制备出Ce-Cu-Ga薄膜,实验表明,晶粒择优取向上呈现柱状晶结构,成分均匀低温磁化率呈现明显的各向异性.对CeCuGa取向多晶的磁测量结果表明,在温度20K以上遵从Curie-Wiess定律,呈现杂质型Kondo效应.在温度15K以下呈现复杂的磁有序,即在反铁磁性基体上产生寄生铁磁性的弱铁磁有序,实验证实,这种磁有序是由RKKY交换相互作用引起的,由此修改了Bauer提出的Ce-Cu-Ga体系的磁相图.在T<,O>=44.3K处Ms(T)产生突变,与C(T)、P(T)在该温区产生的突变相对应,也接近Kondo温度T<,K>(=3K).其相变机理尚未搞清楚,有待于进一步深入研究.