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立方氮化硼(cBN)是一种人工合成的半导体材料,具有良好的物理化学性质,在热学,力学,光学,电子学等方面有着广泛的应用前景,因此立方氮化硼薄膜的制备和性质研究受到的广泛的关注。本文研究了立方氮化硼薄膜生长时氧的作用和直流偏压条件下的制备。以hBN为靶用射频溅射法在Si基片上制备立方氮化硼薄膜,工作气体为氩和氮的混合气体。工艺参数有射频功率,基片的偏压和温度,工作气体中的氮气含量。实验发现立方氮化硼薄膜的生长条件窗口。基片的偏压对立方相的生长有重要的影响,存在偏压阈值,低于这个值立方氮化硼