稀磁半导体（ DMSs ）是指在非磁性半导体材料基体（通常是AB ）中通过掺入少量磁性过渡族金属元素或稀土金属元素使其获得铁磁性能的一类新型功能材料。目前,在DMSs材料中发现了许多新的物理现象,如巨法拉第效应、巨塞曼分裂、反常霍尔效应、巨负磁阻效应、磁致绝缘体金属转变等。利用这些效应,可以制备出各种新型功能器件,为一些科技的发展提供条件。因此,这种新型材料的研究倍受人们的关注。本文利用溶胶-凝胶法成功地制备出了一系列K-SnO₂和V-ZnO稀磁半导体纳米粉末。利用X射线衍射仪（ XRD ）、透射电镜（ TEM ）、X射线光电子能谱（ XPS ）及物理性能测试仪（ PPMS-9 ）中的样品振动磁强计（ VSM ）对样品的结构和磁性进行了表征。在K-SnO₂体系中,所有样品均为二氧化锡金红石结构,颗粒大小约几个纳米;K元素以+1价存在;样品具有室温铁磁性,且饱和磁化强度随着掺杂浓度的增大而增强。将K掺杂浓度为4%的样品和纯SnO₂样品在氧气下退火后,掺杂K的样品仍然具有室温铁磁性,因此氧空位不是引起铁磁性的主要来源。当一个K元素取代一个Sn的位置时,由于K、Sn化合价的不同,将会产生3个阴离子空穴,阳离子可以通过这些空穴发生间接交换作用,从而导致铁磁性,具体磁学机理可以用RKKY模型来解释。在V-ZnO体系中,V掺杂浓度低于5%时,样品具有氧化锌纤锌矿多晶结构,颗粒尺寸在二三十个纳米左右;V元素的化合价为+5价;样品呈现室温铁磁性,且样品的饱和磁化强度随着V掺杂浓度的增大而增强,掺杂浓度为3%的样品在不同温度（ 500℃,600℃,700℃）的空气下退火1h后,饱和磁化强度随着退火温度的升高而增强。我们认为样品中的铁磁性来源主要是由氧空位和缺陷态密度引起的,具体磁学机理可以用束缚磁极化子模型来解释。