温差电制冷晶片(BiTe)表面化学镀镍工艺研究

来源 :哈尔滨工业大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zahay
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该文研究了温差电制冷晶片(Bi<,2>Te<,3>)表面化学镀镍工艺,包括粗化、除膜、还原、敏化、活化、预浸、化学镀镍及镀后热处理,确定了最佳工艺配方以及各工序的维护与调整.碲化铋材料对于化学镀镍属于催化毒性材料,工艺采用敏化、活化的前处理工艺在晶片表面形成一层催化活性晶核,浸入化学镀镍液可快速诱导镍沉积形成镍层,阻止其毒性影响沉镍反应与镀液.从而实现了在催化毒性材料表面化学镀镍.为除去黑膜,研究了除膜配方以及除膜后处理的还原配方,以获得清洁表面.为保证成品率,针对化学镀镍,设计了还原性预浸液.为控制膜厚度,通过试验确定了满足膜厚要求的施镀时间.论文也探讨了化学镀镍工艺参数对化学镀镍的影响.
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合成了γ-L-谷氨酰-α-萘胺(γ-L-GLUTAMYL-α-NAPHTHYLAMINE,以gnapa示之),并以其作为第二配体,以邻菲罗啉作为第一配体,用pH电位滴定法测定了乙醇在乙醇/水混合溶剂中体积分数为10﹪、20﹪、30﹪、40﹪、50﹪,37℃,μ=0.1(NaNO)条件下与Pd(Ⅱ)形成三元配合物Pd(phen)(gnapa)的稳定性,以Pd (phen)(gly)体系为参照,求出了
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