随着纳米技术和光学技术的蓬勃发展，今后我们有望迎来一个全光时代。在光子芯片取代电子芯片后，大规模光子器件的集成所产生的热效应是人们所关注的焦点问题之一。多层膜结构作为常见的光学器件结构之一，对其在近场下热辐射的研究是非常重要的。本文以涨落电动力学结合格林函数法为理论基础，着重分析了SiC-真空多层膜结构的态密度、传热系数以及纳米粒子对其辐射场吸收功率在近场下的变化规律。研究了探测距离、多层膜介质层厚度、折射率等结构参数对其影响。在表面波谐振频率处，比较了半无限大结构与多层膜结构态密度、传热系数、纳米粒子对其辐射场的吸收功率随探测距离的变化规律，近场远场不同偏振下对热辐射的贡献。指出了SiC层厚度、真空层厚度与间隔距离可比拟时，多层膜内部表面波耦合增强现象。对于特定结构的多层膜，其传热系数与半无限大结构相比明显增强。分析了纳米粒子的吸收功率两个峰值的成因，以及多层膜结构对其特殊的影响。由于其内部表面波的耦合作用，使得纳米粒子在强吸收频率处吸收更为强烈，对于特定结构的多层膜，其吸收功率比相同频率下的半无限长结构的吸收功率大幅提高。