集成光路具有体积小、集成度高、性能稳定等优势,相较于集成电路有更好的信息传输和处理能力,发展前景广阔。光波导作为集成光路最基本的元件,其制备方法的研究仍具有极大价值。本文在研究中,采用时域有限差分法FDTD(Finite Difference Time Domain)软件模拟了线型磷化铟(InP)基波导的导波模式,模拟结果为单模输出。采用电子束光刻技术在InP衬底上制备图形作为电化学刻蚀多孔波导结构的掩模。采用控制变量法分别研究了电化学刻蚀过程中电流密度、掩模图形和刻蚀时间对形成多孔结构的影响。实验结果表明:电流密度可以影响多孔结构表面形成的孔隙的大小和刻蚀深度;掩模图形可以诱导多孔结构的分布;刻蚀时间可以控制刻蚀的深度。对电化学刻蚀得到的多孔结构进行反射率测试,结果表明:多孔结构InP在入射波长大于900 nm时反射率明显升高;多孔结构InP具有良好的反射特性;多孔结构InP的反射率在一定范围内随平均孔隙增大而增大。搭建端面耦合测试系统,对电化学刻蚀形成的多孔波导结构进行测试,结果表明:多孔结构导波模式均为单模。对电化学刻蚀形成的长度为500μm的多孔波导结构分别进行插入损耗测试,损耗均小于10dB。