【摘 要】
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该论文对表面等离子体波进行了理论分析和计算;采用近场扫描显微镜和ATR(Attenuated Total Reflection)方法对表面波激发时的衰逝场强进行了探测和分析,并与理论计算做了比
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该论文对表面等离子体波进行了理论分析和计算;采用近场扫描显微镜和ATR(Attenuated Total Reflection)方法对表面波激发时的衰逝场强进行了探测和分析,并与理论计算做了比较.根据以上的实验和计算,进行表面波成像的有关研究.作者采用了一种唯象的计算方法来描述多层介质膜下的电场分布,该方法的主要思想是引入了复数的介电常数来表征膜条件下的电学性质.在近场探测表面波衰逝场的实验中,作者采用了光子隧道显微镜对P波衰逝场进行了探测并测定了S波衰逝场以资比较.根据以上的实验,作者对SiO<,2>图案和洋葱表皮细胞进行了表面波的成像研究.这些方面的研究,在国内未见报导.
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