针对甲基氯硅烷单体合成流化床反应器内反应过程,根据实际生产的需求,优化生产过程中的控制参数和操作方法。通过经过多周期数据采集,根据流化床反应器的产物组份,得出甲基氯硅烷单体合成过程中氯甲烷的理论消耗系数为0.864,单体、高沸物、浆渣的理论硅粉消耗系数分别为0.216、0.255、0.330。基于临界流化气速模型和固体颗粒沉降分离气速模型,根据流化床反应器中甲基氯硅烷单体合成反应的特点,建立流化床反应器操作气速计算公式。利用工业数据计算发现采用计算公式所得计算值与实际值基本相符。操作气速稳定在合理范围内,单体产量增加将会使流化床反应器带出的细粉颗粒减少,反之则会增加。通过物料衡算,推导得到流化床反应器料位计算公式,通过多周期实际生产数据检验,周期运行后理论核算料位与实际料位偏差小于7%。该公式通过有效的数学计算方法,及时监测并稳定流化床反应器内的总物料量,进而可以更有效地控制单体合成反应。利用适用于流化床反应器强传热过程的有内热源的传热模型,依据生产过程中采集的数据,计算得到浓相段对流传热系数为120.7 W/(m~2·℃),所得值与设计值存在较大偏差,说明在生产过程中指型管表面会产生污垢,影响换热效果。采用气膜厚度表征指型管表面产生的污垢热阻,并提出定期对指形管壁面清理可以改善指型管表面传热。