本论文通过调整置多个磁控管极性于真空腔体周边均布条件下磁控管集合体所体现的磁场闭合状态，在不同沉积阶段于单晶硅基体上制备了纯金属Cr镀层。通过对不同沉积阶段镀层组织结构和性能的检测分析，研究不同磁场闭合状态对纯Cr镀层生长过程(形梭、晶粒合并、连续膜生成和厚膜生长)的影响及机理。本次研究为磁场闭合状态对镀层生长和磁控溅射机理影响的深入研究有重要的意义，并且对选择合透的磁场闭合状态优化镀层结构和磁控溅射设备改进起到一定的指导作用。　　研究结果表明：随着磁场闭合程度的增加，镀层沉积速率减小，基体偏流增大，离子轰击对基体表面及镀层结构的轰击效应和改善作用增强，致使纯Cr镀层形核速率减小，镀层晶粒尺寸增大，镀层组织结构和择优生长趋势发生明显变化。　　在三种磁场闭合状态下，镀层生长均经历表面粗化和晶粒长大的过程，但随着磁场闭合程度的增加，沉积纯Cr镀层由稀疏粗大的柱状晶组织转变为较致密的柱状晶组织，进丽转化为致密的无明显柱状晶体组织，镀层中空隙和缺陷减少，表面粗糙度减小，方块电阻减小，致密度升高。在[100]晶向单晶硅抛光片上，磁场不闭合状态各个沉积阶段，镀层沿Cr(110)面择优生长趋势明显；磁场半闭合状态各个沉积阶段，镀层沿Cr(11O)面或Cr(200)面择优生长趋势明显；磁场完全闭合状态各个沉积阶段，镀层沿Cr(200)面择优生长趋势明显，即随着磁场闭合程度的增加，镀层择优生长趋势由低晶面能(110)品面生长向高晶面能()200)晶面生长转化。