导电聚吡咯(PPy)具有导电率高、稳定性好、生物相容性好、易于制备等优点，被认为是最具有应用前景的导电高分子材料之一，通过改变聚合条件和聚合方法来提高聚吡咯材料的性能成为目前的研究热点。研究表明大尺寸阴离子掺杂的聚吡咯稳定性好，表面活性剂阴离子掺杂的聚吡咯导电率较高，而采用大阴离子表面活性剂制备聚吡咯纳米材料的报道比较少。因此，该课题选用大阴离子表面活性剂--琥珀酸二辛酯磺酸钠(AOT)作为掺杂剂和电解质。　　 对于聚吡咯纳米材料的制备，首先采用微乳液方法，分别制备得DBSA/PPy(十二烷基苯磺酸/聚吡咯)和AOT/PPy纳米粒子，用扫描电子显微镜(SEM)、元素分析(EDX)、傅里叶变换红外光谱分析(FTIR)等手段进行对比分析，并讨论了聚吡咯的合成机理，结果表明掺杂AOT的AOT/PPy纳米粒子粒径更小、更均匀、掺杂度更高，证明AOT作为掺杂物质的可行性和优越性；然后用电化学方法，以AOT为支持电解质，分别在镀金硅片、镍片和碳布三种不同类型的电极上聚合得AOT/PPy薄膜，并用SEM、EDX、FTIR、循环伏安法(CV)、电化学阻抗谱分析(EIS)等进行了分析对比，结果表明碳布上合成的AOT/PPy薄膜具有大的比表面积和更好的电化学活性。　　 对于基于聚吡咯的纳米复合物材料的制备，用电化学方法，AOT为支持电解质的溶液中，以天然石墨(C)和石墨烯(GR)为纳米填充物，在不锈钢网上合成了PPy/C和PPy/GR纳米复合物(纯的PPy为对比)，结果表明C和GR的加入，可以有效的提高聚吡咯的含碳量和掺杂度，电化学活性变好，其中PPy/C的掺杂度高于普遍报道的水平达到0.54，PPy/GR具有最好的电化学活性和良好的防腐蚀性能。