随着半导体照明技术的快速发展,YAG:Ce³⁺黄色荧光粉的使用量也逐年增加,为了满足LED灯的发光效率,对于荧光粉的荧光转换效率提出了更高的要求,因此筛选适合LED封装需求的YAG:Ce³⁺荧光粉是必备工序。筛选余下的YAG:Ce³⁺荧光粉的发光性能虽然不能满足LED封装要求,但具有较高的纯度,且颗粒分散性好、粒径分布窄、晶型好等特点,可作为制备YAG微波介质陶瓷的良好原材料。以YAG:Ce³⁺荧光粉为原料采用固相烧结法制备YAG陶瓷,通过将YAG:Ce³⁺荧光粉机械破碎并在表面包覆正硅酸乙酯（TEOS）以增加粉体的表面活性;同时添加低温复合助烧剂CaO-B₂O₃-SiO₂及CaO-MgO-SiO₂降低YAG陶瓷的烧结温度;最后通过添加TiO₂对YAG微波介质陶瓷的谐振频率温度系数进行调节。研究结果表明:（1）YAG:Ce³⁺荧光粉粒度的降低一定程度上促进了YAG陶瓷的烧结,致密化烧结温度从1650?C降低至1625?C;相对密度由91.7%增大至94.8%;介电常数由9.04增大至10.2;Q?f值由11115GHz增大至19447GHz。TEOS的包覆显著提高了陶瓷的烧结活性,降低了陶瓷的烧结温度,改善了YAG陶瓷的微波介电性能。TEOS包覆量为2wt%,烧结温度为1575?C烧结5h,陶瓷的相对密度达到96.3wt%,此时的微波介电性能为:?_r=10.63,Q·f=24756GHz,?_f=-48.56ppm/?C;（2）CaO-B₂O₃-SiO₂与CaO-MgO-SiO₂复合氧化物烧结助剂对YAG陶瓷的烧结特性及微波介电性能有显著影响。实验结果表明,添加10wt%的CaO-B₂O₃-SiO₂可以在1475?C实现YAG陶瓷的致密化烧结,其微波介电性能为:?_r=9.02,Q·f=30416 GHz,?_f=-46.98ppm/?C。添加15wt%CMS的YAG陶瓷可在1450?C实现致密化烧结,其微波介电性能为:?_r=8.67,Q·f=21421GHz,?_f=-53.8ppm/?C。（3）TiO₂的添加能够明显改善YAG陶瓷的谐振频率温度系数。添加量为10wt%时,1475?C烧结5h后YAG陶瓷的谐振频率温度系数近零,其介电性能为:?_r=26.98,Q·f=18097GHz,?_f=-5.6ppm/?C。