垂直型炉管机台(LPCVD)由于其良好的均匀度和批量生产的优势使得其从20世纪90年代开始，一直是集成电路制造领域必备的设备之一。普遍应用于制备二氧化硅、多晶硅、氮化硅等工艺领域。在生产过程中，最主要的三个指标是：膜厚、均匀度、杂质微粒。而其中杂志微粒是最难控制的，特别是制备氮化硅。由于LPCVD制备氮化硅时，大多使用SiH2Cl2和NH3。SiH2Cl2本身易分解和易液化的特性，以及氮化硅大应力易剥落的特性，使制备氮化硅薄膜的微粒污染水平远远高于制备其他薄膜。为了保持产品良率，只能以缩短维护周期的方式来应对。这也使得Down机时间加长，Up time无法提高，从而影响产能。本文以TEL公司生产的LPCVD设备为研究对象，从设备架构和制备工艺上出发，分析出LPCVD氮化硅工艺的主要微粒来源：工艺腔管剥落、SiH2Cl2气体管道污染以及后段真空管路。针对性地提出改善工艺腔管表面粗糙度的清洗流程和低温N2PURGE方案，并优化了设备在常压状态的气流方向。实验结果表明，这些方法可以降低微粒均值，延长设备维护周期，从而提高良率和设备可利用时间。