该研究选用工业生产的亚微米SiC颗粒(平均颗粒尺寸为120 nm),分别采用置换反应法、歧化反应法和直接还原—旋转沉淀法等工艺方法将Cu包裹到SiC颗粒表面;分析了原始SiC颗粒尺寸及其分布、反应温度、CuSO<,4>溶液饱和度等对颗粒包裹效果的影响;通过DSC-TG-MS联用技术了解复合粉体在加热过程中的物理和化学变化行为,分别进行了常压烧结、SPS烧结和热压烧结等工艺研究,制备了致密的、结构均匀的SiC/Cu金属陶瓷复合材料;分别采用XRD、SEM、TEM、AES、XPS等手段对样品进行表征.对影响SiC-Cu界面结合的有关因素进行了探讨;通过对SiC/Cu复合材料的高温摩擦学、电学性能等进行测定,初步了解了高温下该复合材料的磨损机理及不同的导电机制,为进一步开发SiC/Cu复合材料在实际中的应用提供了参考.结果表明,采用直接还原—旋转沉淀方法,可以将Cu(Cu<,2>O)包裹到纳米SiC颗粒表面,获得的复合粉体中SiC和Cu两相之间的混合均匀.包裹粉体颗粒具有核—壳结构,核心为SiC颗粒,壳层则是由纳米Cu微晶构成.反应温度显著影响复合粉体颗粒的包裹效果和颗粒的包裹结构.高的反应温度无法获得核—壳结构的包裹粉体;低温下可以实现Cu微晶对SiC颗粒的致密、均匀包裹.理想的反应温度约为32℃.原始SiC颗粒的尺寸分布范围直接影响复合粉体颗粒的包裹效果;分布范围过宽时,SiC较大颗粒表面容易被Cu微晶所包裹,由于大颗粒的屏蔽作用而使得其周围的SiC小颗粒无法被包裹,必须控制原始SiC颗粒的尺寸均匀性.复合粉体颗粒中Cu<,2>O的形成可以促进SiC/Cu复合材料的致密化过程.常压烧结过程中,通过球状体接点的颈部生长方式实现复合材料的致密化.