高阻尼Ti<,50>Ni<,25>Cu<,25>形状记忆合金及其溅射薄膜的研究

来源 :中国科学院金属研究所 | 被引量 : 0次 | 上传用户:liangjb82
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本文是以名义成分为Ti<,50>Ni<,25>Cu<,25>(at.%)的形状记忆合金及其磁控溅射薄膜为研究对象.采用DSC、电阻、XRD、DMTA、SEM等分析手段研究了(一)块体Ti<,50>Ni<,25>Cu<,25>形状记忆合金的热弹性马氏体相变特征,某些基本物理和力学性能(特别是阻尼性能),以及稀土元素Y对合金相变特征及某些力学性能的影响;(二)磁控溅射Ti<,50>Ni<,25>Cu<,25>形状记忆合金薄膜的组织与马氏体相变特征,和溅射工艺参数对薄膜与基片结合状况的影响.Ti<,50>Ni<,25>Cu<,25>块体形状记忆合金采用真空感应熔炼方法制备,并经870℃均匀化退火6小时,合金的熔点为995±5℃;在-150—+150℃温度范围内,合金仅经历一级B2←→B19热弹性马氏体相变,其中,B2为体心立方CsCl结构的高温母相,而低温相为正交结构的B19马氏体相.在一定条件下,Ti<,50>Ni<,25>Cu<,25>合金马氏体内耗tg δ可达0.027-0.031;相变内耗峰值更可高达tg δ=0.165(加热)/0.202(冷却);在自耗法制备的合金中加入0.1-2at.%稀土元素Y可提高马氏体相变温度,但Ti<,50>Ni<,24>Cu<,25>Y<,1>合金的阻尼性能及显微硬度与Ti<,50>Ni<,25>Cu<,25>合金相当.用磁控溅射方法在玻璃和单晶Si基片上制备了Ti<,50>Ni<,25>Cu<,25>形状记忆合金薄膜.在起始溅射温度为室(炉)温的条件下,Ti<,50>Ni<,25>Cu<,25>合金薄膜是非晶态的,经700℃×1小时真空退火,其发生晶化转变;晶化薄膜亦发生B2 ←→B19马氏体相变,相变温度分别为M<,s>=49.2℃、M<,f>=35.8℃、A<,s>=46.7℃和A<,f>=58.8℃,相变滞后仅为2.5℃左右.
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