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二维蜂巢状晶格结构的石墨烯具有优异的电学、光学、热学和机械等性能，有望取代传统电极ITO，成为新一代的透明电极。氧化还原法可以实现石墨烯的大批量制备，但是在此过程中会引入大量含氧官能团。传统的化学还原或热还原很难实现对氧化石墨烯（GO）碳结构的恢复。因此本论文设计用氢碘酸（HI）结合1100℃高温热处理的方法还原氧化石墨烯薄膜，最大限度的消除表面的含氧官能团，获得高导电石墨烯薄膜。本文首先通过温和加热和超声的方法制备表面缺陷较少，尺寸较大的氧化石墨烯片层。原子力显微镜（AFM）测试表明，所制得石墨烯的片层范围在几微米之间，厚度约为0.8nm；通过红外、X-射线衍射（XRD）、X-射线能谱（XPS）和拉曼曲线，证实了氧化石墨烯表面确实引入了大量的含氧官能团，一定程度上破坏了其规整结构；扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）照片显示石墨烯表面呈现出丝绸状的褶皱结构，并保有一定程度的规整性。采用真空抽滤法制备了一系列不同透过率的氧化石墨烯薄膜，将其转移压印到石英玻璃表面，分别通过1100℃高温（RGO1100℃）热处理和HI化学还原结合1100℃高温(RGOHI+1100℃)处理两种方法制备还原氧化石墨烯透明薄膜。紫外吸收光谱、拉曼光谱、XRD、XPS等测试结果显示RGOHI+1100℃层间距更小、I2D/ID+G更大、碳氧比更大，说明其表面结构恢复的更好。薄膜电性能测试结果显示相比于高温处理法，RGOHI+1100℃透明薄膜的导电率更高。RGOHI+1100℃透明薄膜在72%（550nm波长处）透过率下表面电阻为2400Ω/sq，而RGO1100℃薄膜在相同透过率下表面电阻为3600Ω/sq。这是由于化学还原结合高温处理法制备的石墨烯的还原程度较高，薄膜内的节点电阻较低导致的，同时也进一步佐证了结构表征的结果。