【摘 要】
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摘要：本论文以底栅型非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)器件为基础,对a-Si TFT模型进行研究。将a-Si材料场效应迁移率小于1cm2/V·s作为限制条件,利用Matlab软件编程实现模型阈上区
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摘要：本论文以底栅型非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)器件为基础,对a-Si TFT模型进行研究。将a-Si材料场效应迁移率小于1cm2/V·s作为限制条件,利用Matlab软件编程实现模型阈上区域初始参数的自动化提取,在此基础上利用参数提取软件进行a-Si TFT模型参数的分区域提取,得到了与实测数据吻合较好的模型,将此模型应用于不同宽长比的TFT器件中,发现此模型对于同一制备工艺的器件具有广泛的适用性。在以上研究的基础上,分析了栅极偏压对a-Si TFT器件阈值电压的影响,得到了满足阈值电压随栅极偏压作用时间漂移特性的模型,并结合a-Si TFT器件在有源液晶显示器中(TFT-LCD)的实际作用对模型进行修正,使其能够比较精确的模拟栅极偏压作用下a-Si TFT的转移特性,对于预估a-Si TFT的性能具有重要意义。同时,本论文也分析了温度对a-Si TFT器件阈值电压的影响,对模型各参数进行分析和调整,得到满足阈值电压随温度漂移特性的模型。
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