近年来,一种在分子层面上有机基团嵌入无机晶格的有机-无机杂化钙钛矿具有高吸收系数,直接带隙,载流子寿命长,稳定的电子/空穴迁移率等特点,因此引起了广泛的关注。此外,钙钛矿优异的光学和电学性质能够被应用在其他光电设备上,如发光二极管,激光器,光电探测器和场效应晶体管。尽管通过典型的一步或两步法旋涂制备的钙钛矿薄膜材料性能不错,但多晶钙钛矿的薄膜一定程度上限制了在特定领域的应用。然而与多晶钙钛矿薄膜相比,单晶钙钛矿有较高的结晶质量,更少的晶体缺陷、较低的陷阱密度,同时其载流子寿命更长。本文利用物理气相沉积法合成规则的单晶碘化铅PbI₂纳米片。在改变基底沉积位置和石英管温度下得到不同的碘化铅PbI₂纳米片,通过晶体生长理论分析不同沉积条件下碘化铅PbI₂纳米片尺寸、厚度、密度的变化规律。一直以来碘化铅PbI₂的发射谱只有在低温（低于200 K）下可测。我们在室温下,用波长325 nm的连续激光器（光斑大小约200μm）作为泵浦源,能够测得碘化铅PbI₂发射谱有两个明显的发射峰,分别对应双激子峰和激子非弹性散射峰。同时我们利用预先合成的具有良好边界碘化铅PbI₂纳米片模板成功转化为钙钛矿纳米片。在充满氩气气的密闭石英管中将基底放在甲基碘化铵MAI药品上方发生转化反应。利用我们自建显微系统测量单个纳米片的发射谱。系统采用的泵浦源是一台波长325 nm的连续激光器。对比不同尺寸纳米片的测量,实验结果表明制备的钙钛矿纳米片能够激发出超出自发辐射的回音壁（WGM）模式,对推动钙钛矿光电器件的发展有积极的意义。