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随着航空、航天及军事技术的发展，各种飞行器的飞行速度越来越高，必须研制出能在更为恶劣条件下工作的天线罩材料。氮化硅陶瓷是结构陶瓷中综合性能最好的材料之一，它的电学、热学和机械性能十分优良，在氧化气氛中可以使用到1400℃，在中性或者还原性气氛中可以使用到1850℃左右。因此，氮化硅作为一种具有优秀综合性能的超高音速导弹天线罩侯选材料，已受到国内外学者越来越广泛的重视。本文从理论出发，结合国内外先进制备技术，首次将先进的凝胶注模成型技术与低成本的反应烧结技术有机结合，发挥各自优势，克服传统制备方法在制备导弹天线罩材料方面的不足；并结合氮化硅反应烧结和氮化硅无压烧结等技术，在硅粉中添加不同比例的氮化硅，采用反应烧结的方法制备氮化硅透波材料。本实验通过采用以下的凝胶注模控制参数：单体甲基丙稀酰胺占整个料浆液相质量分数的15％，交联剂N’N-亚甲基双丙稀酰胺与单体的质量比为1：6，分散剂四甲基氢氧化铵（10％）占整个原料粉末总质量2．0～3．5％，引发剂、催化剂用量为料浆总体积分数的0．8～1．0％和0．08～0．1％，固化温度控制在50～60℃，固化时间为30～60min，制备出了固相含量在50vol％左右、高质量的Si3N4／Si坯体。初始粉体中Si3N4所占比例对烧结制品的性能具有决定影响。在Si3N4含量不超过50wt％时，材料具有较高的密度和较低的气孔率。其中，组分为35wt％Si3N4-5wt％助烧剂（SA）-Si的材料平均密度最大，为2．08g/cm3；气孔率平均为37．85％；平均弯曲强度最高，为108．1MPa。组分为65wt％Si3N4-5wt％SA-Si的材料介电性能最好，介电常数（e）平均值为4．91，介电损耗角正切值（tand）平均为1．13×10-2。烧结工艺对于烧结制品的综合性能也具有重要影响，但各组材料性能随烧结工艺的变化并无固定规律。组分为35wt％Si3N4-5wt％SA-Si的坯体在1450℃烧结温度下，并保温4h时，材料的密度和强度达到最高值，分别为2．13g/cm3和129．5MPa。同时，提高烧结温度还能有效提高硅粉的氮化率，在烧结温度超过1450℃并保温4h时，初始原料中的硅粉基本能够氮化完全。