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TiO_2半导体由于其优越的气敏、湿敏、光催化、光伏特性,自洁净等多种功能,在工业应用领域中显示诱人的前景。TiO_2薄膜气敏元件具有性能一致性好,易于集成化等优点,一直受到人们的广泛关注。发展TiO_2薄膜传感器,首要问题是了解和改善TiO_2薄膜的微观结构和性能。本实验是采用磁控溅射方法,在不同的温度下制备了TiO_2薄膜,并对薄膜进行了不同温度和时间的退火处理,通过原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等检测手段对薄膜的表面形貌和组成结构进行了分析,结果如下: