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低压差线性稳压器(LDO)以其高PSRR、超低噪声、微功耗和极低的成本、外围器件少等优点将在电源管理市场上占有重要的一席。它被广泛应用于汽车电子产品、便携式电子设备、通讯设备、工业和医疗设备领域。因此,开展本课题的研究具有特别重大的现实意义。本文设计了一款高电源抑制比、低噪声低压差线性稳压器芯片,它采用0.5微米CMOS工艺设计,有良好的电源抑制比(低频时超过75dB),支持较宽的输入电压范围(2.5～6V),输出电压为1.8V,在典型电流(500mA)情况下,压差为150mV。该电路主