由于高温铜氧化物超导体家族和铁基超导体家族的发现,在3d金属化合物中寻找高温超导体便成了凝聚态物理中最炙手可热的探索领域之一。通过对高温超导体的母体化合物进行化学掺杂或者施加高压可以诱导出非常规的超导电性。而在元素周期表中,Co处在Fe和Cu之间,因此人们对在含钴化合物中发现新的高温超导家族充满了期待。本文主要围绕3d过渡金属钴的化合物,比如Sc3CoC4,BaCoS2和ScZrCo,通过对其施加压力来研研其输运性质和超导电性的变化。论文第一章引言部分首先介绍了历史上对常规超导体的研究的发展状态,然后介绍了高压技术对超导电性的影响,以及高压在高温超导体家族中的应用。最后介绍了通过高压效应在其他3d过渡金属化合物中发现超导电性的例子。论文第二章介绍了本人在攻读博士学位期间所采用的主要的实验方法。首先介绍了常用的生长晶体材料的固相反应法、电弧炉熔炼法、助熔剂法。然后介绍了对晶体材料进行结构标定的XRD技术,同时简单介绍了高压下的晶体结构标定。最后介绍了常见的高压装置以及压力标定等技术方法。论文第三章到第五章介绍了本人在攻读博士期间的主要工作。首先在第三章中介绍了在准一维含钴碳化物Sc3CoC4中通过高压诱导出的体超导电性。已发现的Sc3CoC4具有准一维的结构[CoC4]∞链。当温度降低到155 K处和72 K处时Sc3CoC4会分别发生电荷密度波(CDW)转变和Peierls结构相变,从高温正交相转变为低温单斜相。然后在4.5 K时出现超导迹象。根据已有的低温电阻测量和磁化率测量,此超导转变较为微弱。我们发现,在准静水压环境下72 K处的结构相变会被逐渐压制。155 K处的CDW转变会随压力的升高而升高。而且,随着加压超导转变的起始温度Tc onset保持不变,零电阻温度升高至2.8 K左右。我们认为压力效应是通过增强一维[CoC4]∞链之间的约瑟夫森耦合,从而在Sc3CoC4材料中建立起全局性的超导相位相干。通过高压下的直流磁化率测量发现0.95 GPa的压力可以使Sc3C0C4样品的超导抗磁体积从0.1%提高到477%。我们认为Sc3CoC4超导电性应该来源于残留的高温正交相。在论文第四章中,我们对新发现的钴化物材料ScZrCo进行了较为详细的结构表征,并通过高压手段诱导出了3.6K的超导电性。我们通过X射线衍射分析和Rietveld拟合标定出ScZrCo的空间群为Fd3m,是一种典型的非中心对称结构。ScZrCo的电阻率在常压下表现为与半导体类似的行为,随着加压,这种类半导体行为逐渐减弱,金属性逐渐增强。常压下比热实验发现低温极限下曲线偏离德拜模型(C/T = γn+ βT2,我们排除了肖特基反常,并结合高场下的直流磁化率测量,计算出ScZrCo具有较大的Wilson ratio值,说明了样品的基态具有较强的关联电子特性。通过施加单轴压力,我们在20GPa以上观测到了超导电性,随着加压,Tc逐渐升高,当达到36.1 GPa时,Tc onset= 3.6 K。该超导电性在磁场下会被逐渐压制,我们进一步确定了该材料在36.1 GPa时的上临界磁场为 5.14 T。在第五章我们介绍了在强关联材料BaC00.91S2和BaNiS2中的高压下的电输运行为研究。已有的研究表明,无缺位的BaCoS2在常温常压下是具有层状结构和反铁磁序的Mott绝缘体,这与高温铜氧化物的母体非常相似。而和BaCoS2基本同构的BaNiS2在常温常压是层状结构的的顺磁性的金属材料。我们通过自助熔剂法制备了BaCoS2单晶,发现其中存在Co缺位现象,分子式为BaCo0.91S2。并通过逐步施加最高至29 GPa的单轴压力,研究了BaCo0.91S2的电输运变化规律。由于Co缺位的影响,在常压下BaCo0.91S2的绝缘性相对于BaCoS2有较大的降低,已经不适合用变程跳跃模型或能带绝缘体模型来拟合,我们通过尝试发现,ρ ∝ exp(-αT)能较好地拟合其常压电阻率。并且BaCo0.91S2的电阻曲线未在低温端体现典型的绝缘性,而是在9 K处出现电阻最大现象。随着加压,电阻率降低,并且拐点出现的温度升高,类似金属性的电阻温区持续扩大。在压力达到2.5 GPa以上后,在全温区表现为良好的金属性。而对于BaNiS2,其常压下为顺磁金属,在高温段由于Mott-Ioffe-Regal limit的限制,电阻率出现了饱和现象。我们通过对BaNiS2多晶样品施加单轴压力,逐渐地压制了电阻率,并且提高了BaNiS2的Mott-Ioffe-Regal limit,使电阻饱和现象被推至300 K以上。最后,第六章是全文总结。