第三代宽禁带半导体材料SiC因物理特性优异获得更多关注与研究。因其耐压较高、开关频率较高以及低导通电阻,更加适合代替Si基器件作为功率变换器件,使驱动系统损耗得到降低、效率和可靠性得到提高。随着开关频率的提高,可以改善系统输出电流的质量,减少谐波含量,避免使用滤波器,既可以减小电机转矩脉动和损耗,又减小了系统复杂性。鉴于此,本文对SiC MOSFET作为驱动系统功率转换单元,在高开关频率下的应用技术进行了研究。首先,建立SiC MOSFET器件等效模型及驱动回路等效模型,分析了参数对开关过程的影响,对驱动回路关键参数进行了仿真分析。在此基础上,对在高开关频率的工作条件下,对器件稳定工作影响较大的串扰问题和端电压振荡问题进行分析。针对串扰问题,通过对比各方案的效果,综合考虑,通过增加双电源的供电,使用负压关断的方法以及改进的米勒钳位电路进行抑制,并进行了仿真验证。针对端电压振荡问题,增加了吸收电容电路,并分析了电容容值以及PCB上电容所在位置对抑制效果的影响。在保护电路方面,基于栅极驱动器的过饱和检测功能,对SiC MOSFET进行短路保护。其次,针对SiC MOSFET器件的损耗进行计算,为使计算结果更加准确,更加接近实际情况,综合考虑了电路中重要参数对损耗的影响,并在此基础上设计了散热系统,采用铝散热器结合风冷的方式进行散热。针对SiC MOSFET和散热系统建立热阻等效模型,并通过仿真软件进行仿真,验证了在符合设计要求的情况下,SiC MOSFET的结温未超过最大温度,可以正常工作。最后,对搭建的以SiC MOSFET作为功率器件的逆变器平台进行实验,通过对实验结果的分析,验证了本文设计的驱动电路能够使SiC功率器件在高开关频率下稳定工作,且可以有效降低输出电流谐波含量。