【摘 要】
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本文采用紧束缚理论和非平衡格林函数方法，对二维单层空位缺陷石墨带的电子运输性质进行了简要的分析。主要内容为：四种空位缺陷分别对锯齿型石墨带的局域态密度、电导和空间电
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本文采用紧束缚理论和非平衡格林函数方法，对二维单层空位缺陷石墨带的电子运输性质进行了简要的分析。主要内容为：四种空位缺陷分别对锯齿型石墨带的局域态密度、电导和空间电流分布的影响。研究发现，不同的空位缺陷对石墨带电子运输性质的影响不同，其中单空位缺陷的影响最为明显；石墨带的空间电流分布由于空位缺陷的存在，出现涡旋状或左右振荡效应。本文分三章内容来具体讨论：第一章简单介绍石墨带的背景知识。第二章介绍本文主要采用计算方法：紧束缚近似、非平衡格林函数和自能迭代理论。第三章主要讨论单空位与双单空位缺陷，以及双空位缺陷的两种不同结构的对比，以此来分析石墨带电子性质的空位缺陷效应。
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