【摘 要】
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该文用溅射金属-退火反应的方法制作了镍硅化物-硅肖特基二极管,采用了Ti和Co两种金属CAP层结构以提高镍硅化物的形成质量,使用了保护环和金属场板电极减小二极管的边缘电场
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该文用溅射金属-退火反应的方法制作了镍硅化物-硅肖特基二极管,采用了Ti和Co两种金属CAP层结构以提高镍硅化物的形成质量,使用了保护环和金属场板电极减小二极管的边缘电场集中效应.对镍硅化物的炉退火形成温度进行了研究,对于300A厚度的镍,薄膜电阻最小时的硅化物薄膜形成温度是550℃.该文用非均匀肖特基势垒输运模型拟合了实验数据,提取出的参数表明,保护层结构在不同程度上有效地提高了肖特基势垒的均匀性,从而减小了肖特基二极管的反向电流,边缘特性的差异性也是由于肖特基势垒均匀性的改变而导致的.金属保护层能提高肖特基势垒的均匀性是因为保护层抑制了工艺过程中的氧污染.
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