【摘 要】
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TiO_2是极具前途的阻变材料,但以氧空穴导电细丝传导机制为机理的TiO_2基RRAM需要高电场的激活,给器件带来物理伤害,降低器件稳定性和良率并提高工艺难度。因此,有必要研究如何降低激活电压,改善TiO_2阻变存储器的性能。本文对TiO_2分别进行In、Nb掺杂以及(Nb+In)共掺杂,通过sol-gel旋涂法制备薄膜,构建了Pt-TIO-Pt、Pt-TNO-Pt和Pt-TINO-Pt结构。分别
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TiO_2是极具前途的阻变材料,但以氧空穴导电细丝传导机制为机理的TiO_2基RRAM需要高电场的激活,给器件带来物理伤害,降低器件稳定性和良率并提高工艺难度。因此,有必要研究如何降低激活电压,改善TiO_2阻变存储器的性能。本文对TiO_2分别进行In、Nb掺杂以及(Nb+In)共掺杂,通过sol-gel旋涂法制备薄膜,构建了Pt-TIO-Pt、Pt-TNO-Pt和Pt-TINO-Pt结构。分别对其电学特性进行研究,并研究各薄膜器件内部的电子运输传导机制。围绕对TiO_2薄膜分别进行In、Nb掺杂
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