脉冲激光沉积Pr<'3+>掺杂SrTiO<,3>和CaTiO<,3>薄膜发光性能研究

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【摘要】

：

ZnO薄膜是一种直接宽带隙半导体材料,具有较高的激子束缚能(60eV),即使在室温条件下激子也不会分解,具有多种用途,因此近年来对ZnO基半导体材料的研究越来越为人们所重视,为了研究沉积气压对磁控溅射制备Zno薄膜的结构与性能的影响,本文采用CS-400射频磁控溅射法在不同的沉积气压(0.5Pa-5Pa)下分别在Si(111)及石英基底上成功的制备了ZnO薄膜和25%N_2气氛下Zn_(0.975

【作者】

：

王伟

【机构】

：

苏州大学

【发表日期】

：

2009年05期

【关键词】

：

射频磁控溅射 ZnO薄膜透射率光学带隙 PL谱

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