有机薄膜晶体管、有机场效应晶体管和有机发光二极管等多种现代电子器件的性能都与有机半导体中载流子传输性质有密切的关系。想要获得高性能的电子器件,就要先获得拥有高迁移率的有机半导体材料分子。如何获得高效率的有机半导体分子,是目前理论计算现状的挑战。本论文采用基于密度泛函理论方法,对新型的并苯衍生物有机半导体分子的堆积结构和本征载流子传输性质结合Marcus-Hush电荷转移方法进行理论计算并分析影响因素。首先介绍了本文中的理论方法,以及计算所使用的软件包。本文采用了简单不连续的跃迁模型,利用密度泛函理论、含时密度泛函理论研究了在中性态和带电荷态下的结构,从而得到重组能、前线分子轨道、垂直电离势、电子亲和势和吸收光谱。然后介绍了采用Marcus电荷转移理论结合爱因斯坦公式计算获得衍生物有机半导体分子的迁移率的理论基础。其次研究了并三苯的同分异构体衍生物PAH1、PAH2两个分子的迁移性质。结果表明以并三苯为核心骨架的平面性对分子的电荷转移迁移率也有影响。在两种并三苯衍生物分子中,平面性较好的PAH2分子比扭曲性较大的PAH1的空穴迁移率大,达到0.143cm²V^-1s^-1出现在角度为0°和180°的位置,表现出良好的p-型有机半导体性质。在两种衍生物分子中,化合物PAH1的空穴迁移率和电子迁移率数值分别是0.011 cm²V^-1s^-1和0.040 cm²V^-1s^-1,扭曲的的核心结构导致PAH1迁移率都小于PAH2的迁移率。分析了两种衍生物的分子间相互作用,面对面的π-π相互作用对相邻分子间电荷转移的影响很大。最后探讨了以并四苯为核心的四种卤代物CT、BT、DCT和TCT及四种氰基取代衍生物CNT、DNT1、DNT2和DNT3等并四苯的衍生物的载流子迁移性能。分组对比了取代基的不同位置、不同种类和不同数量对单晶结构及分子堆积方式的变化,从而对有机分子的结构和迁移率之间关系的理论研究。基于实验合成的晶体模型,理论模拟计算了迁移率的相关参数及其数值。计算了前线分子轨道能级,获得的理论值与实验值相差不大,说明本文使用计算基组泛函是可靠有效的。计算结果显示,八种衍生物的空穴迁移率都大于各自的电子迁移率,与实验预测的结果相同,显示出很强的p-型有机半导体性质。拥有四个氯取代基的TCT空穴迁移率大约是拥有两个氯取代基的DCT空穴迁移率的2倍。此外,取代基的种类、数量和位置的不同都会影响分子的结构,导致分子前线轨道能级的降低,表明这些衍生物具有着很好的稳定性。结构中π-π共轭的重叠程度也是影响分子间的迁移积分的因素之一,晶体结构中的层与层平行的π-π跃迁模型更易获得较大的迁移率。通过修饰改造有机分子,获得更有潜力的有机半导体材料,为实验上设计合成更高效的有机分子提供了理论基础。