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YBa2Cu3O7-x（YBCO）高温超导薄膜因具有高临界电流密度、高临界转变温度而受到广泛关注，并且在高温超导电子器件领域有着广泛的应用前景.因此高质最、高性能YBCO薄膜的制备是超导电子器件应用的基础。YBCO薄膜具有强烈的各向异性，所以其超导性和生长取向密切相关，而在实际应用中以c轴和a轴取向的超导薄膜为主，其中c轴主要应用于电极和涂层导体的制备方面，a轴主要应用于对于超导机制的研究以及约瑟夫森结的制备方面。但要获得单一取向生长的YBCO薄膜比较困难，相比于溶胶凝胶法，脉冲激光沉积法具有厚度可控、薄膜均匀致密、可原位沉积多层膜等优点，所以本文拟采用脉冲激光沉积法来实现对YBCO薄膜的生长取向的控制，获得具有单-取向的外延薄膜。 首先，通过不同实验参数在铝酸镧（LaAlO3）单晶基片上沉积了一系列YBCO薄膜。研究发现，沉积温度和气压是影响薄膜取向的主要因素.低温度、高气压下容易生长出a轴取向的YBCO薄膜，高温度、低气压有助于c轴YBCO薄膜的生长，本文在对样品台进行加工后得出：在沉积温度为725℃、氧压为70Pa条件下可制备出纯a轴取向生长的YBCO薄膜；在沉积温度为850℃、氧压为10Pa条件下可刺备出纯c轴取向生长的YBCO薄膜，其临界转变温度为67K。 其次，引入氩气作为传热介质来提高衬底的实际温度，有利于氧原子的扩散，从而提高临界转变温度，得出在沉积温度为85O℃、总气压为30Pa条件下YBCO薄膜的临界转变温度提高至88.57K，较未引入氩气时有大幅提高。并尝试制备不同取向YBCO的多层膜结构，通过控制沉积参数得到底层和顶层均为c轴外延取向，中间层为a轴外延取向的YBCO（c）/YBCO（a）/YBCO（C）结构，测试结果表明成功外延出多层膜结构.为后续基于约瑟夫森结的超导电子器件的制备奠定基础。