阳极氧化法制备多孔硅中的正电子湮没及扫描电子显微镜研究及微量元素价态的离子荧光法初探

来源 :中国科学院高能物理研究所 | 被引量 : 0次 | 上传用户:leon2000
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第一部分:利用正电子湮没实验和扫描电子显微镜研究了阳极氧化法制备的多孔硅.利用扫描电子显微镜对同一样品进行了不同阳极氧化时间下的形貌观察.第二部分:离子荧光法是在离子束激发样品的特征X射线进行定量分析的过程中,利用外壳层电子的激发、跃迁发射反映价态信息的光谱来获得化学价态的信息,希望能够进行微量元素化学价态定量分析.该文对于些影响测量的因素,如样品的冷却、损伤效应、定量分析及荧光机理问题、外束问题等进行了讨论.第三部分:该实验拟通过研究在相同激光波长不同功率下GaN分子的沉积以及在相同功率不同波长下GaN分子的沉积状况,对沉积机理问题进行探讨.该实验初步完成了实验设计和加工.
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