高温氧化物溶液晶体生长的质量输运和界面稳定性

来源 :中国科学院上海硅酸盐研究所 | 被引量 : 0次 | 上传用户:q1104
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作为空间晶体生长研究的地面实验研究,该论文利用晶体生长实时观察装置,研究了KNbO<,3>高温溶液晶体生长的界面稳定性,着重论述了:导致枝蔓晶形成的溶液层厚度的测量和界面非稳定性临界尺寸的估算;对流效应和溶质浓度对界面稳定性的影响;枝蔓晶的形成机理.此外,还以BaB<,2>O<,4>高温溶液晶体生长为例,研究了扩散和对流状态下,温度对表征质量输运过程的重要参数—特征扩散长度的影响;建立透射摩镜法实时观察装置观察枝蔓晶的生长过程.首次将离子减薄技术应用于导致枝蔓晶形成的溶液层厚度的测定.扩散和对流状态下温度对特征扩散长度的影响研究表明:扩散状态下,当温度升高或过饱和温度降低时,特征扩散长度增大;相同温度或过饱和温度下,对流状态下的特征扩散长度比扩散状态下的大;且在对流状态下,当温度降低或过饱和温度升高时,特征扩散长度增大.
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