硅基光电子集成回路与标准的微电子集成回路工艺兼容，能有效地解决电互连芯片内部串扰、带宽和能耗等问题，并充分利用现有成熟的集成电路工艺实现大规模生产，具有广阔的实用前景。　　 在集成光学领域内，波导光栅广泛地应用于光通信器件和集成光电回路中，具有特别重要的意义。采用亚微米布拉格波导光栅作为反射结构可以制作滤波器、调制器、激光器、波长转换器等各种性能优越的光子器件，使这些器件具有尺寸小、能耗低、响应快、调制深度高等诸多优点。但是制作小尺寸光栅，尤其是亚微米光栅，工艺精度要求高，制作难度大。　　 本文对亚微米表面波导光栅特性进行了设计与制作，采用电子束光刻(EBL)、感应耦合等离子体(ICP)刻蚀等先进半导体工艺技术，结合图形补偿等技术手段，制作了亚微米表面波导光栅，光栅周期从300nm到400nm不等。采用该光栅做反射镜，制作了法布里-波罗(F-P)谐振腔，经测试得到了与模拟相吻合的结果，峰谷比达到11dB。　　 硅基电光调制器是众多硅基光器件中重要一种，也是未来硅基光电集成电路不可或缺的关键部分。利用谐振腔对特定波长光波的选择性谐振，用电光调制手段改变材料折射率，从而折射率的变化转化为光强的变化，可以实现硅巾的高速光信号调制。本文对驻波型表面谐振腔结构电光调制器进行了研究，调制器光学结构采用表面光栅作反射镜的F-P腔，电学结构采用正向偏置p-i-n结构向有源区内注入载流子，此结构载流子与光场交迭区域大，调制效率高，结构简单，容易加工。本文对此种调制器结构进行了模拟，给出了制作的工艺流程，并对制作工艺进行了探索，对于工艺中出现的问题进行了分析，提出了工艺改进方案。。限制正向偏置p-i-n电光调制器速率的关键因素是载流子寿命，本文对载流子寿命进行了分析，归纳了三种可以减小载流子寿命的方法。为今后提高硅基电光调制器性能提供了有益的参考。