【摘 要】
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伴随着信息社会的快速发展,半导体器件单位面积的存储能力也随之快速提高,目前已接近物理极限。为了获得存储密度更高,读写速度更快以及能耗更低的存储器件,人们一直在努力寻求新一代的存储介质,例如具有磁电耦合的多铁性材料、基于激光干涉原理的全息存储、受拓扑保护的磁性斯格明子(Skyrmion)等。其中以多铁性材料为存储介质的非易失存储器可实现亚纳秒级的翻转速度及超低的功率损耗,且具有可大幅提高存储能力的四
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伴随着信息社会的快速发展,半导体器件单位面积的存储能力也随之快速提高,目前已接近物理极限。为了获得存储密度更高,读写速度更快以及能耗更低的存储器件,人们一直在努力寻求新一代的存储介质,例如具有磁电耦合的多铁性材料、基于激光干涉原理的全息存储、受拓扑保护的磁性斯格明子(Skyrmion)等。其中以多铁性材料为存储介质的非易失存储器可实现亚纳秒级的翻转速度及超低的功率损耗,且具有可大幅提高存储能力的四态逻辑存储特性。多铁性材料一直是物理学和材料科学的重要研究领域,寻找室温附近具有巨大磁电耦合的多铁性材料
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