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在全球能源短缺的大背景下，半导体发光二极管（LED）作为一种新型光源，在照明市场上的前景备受全球瞩目。与第一代（白炽灯）和第二代（荧光灯）照明光源相比，它具有发光效率高、使用寿命长、无污染、可使用低电压和低电流、可小型化和轻薄化、节能等一系列优点。随着世界能源短缺和环保的要求，以21世纪的绿色照明光源半导体白光LED取代能耗高的白炽灯和易污染环境的汞激发荧光灯，已成为必然的趋势。
本实验以Li2CO3、NaHCO3、K2CO3、ZnO、Mg（NO3）2·6H2O、Ca（NO3）2·4H2O、Ba（NO3）2、SrCO3、Eu2O3（99.99％）、（NH4）6Mo7O24·4H2O为主要原料，分别采用溶胶-凝胶法与传统的高温固相法合成了白光LED用红色荧光材料LxM1-2xMoO4：Eux3+（L=Li， Na，K；M=Mg， Ca， Sr， Ba， Zn； x=0.00，0.05，0．10，0.15，0.20，0.25，0.30），分别对样品进行了X-射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、粒度分布和荧光光谱的测定。XRD结果表明：当烧结温度为700℃，烧结时间为4h时，可以得到MMoO4的纯相，随着L+和Eu3+掺杂量的增加，LxM1-2xMoO4：Eux3+物相的峰型均未发生明显改变，并且没有其它物相生成，说明L+和Eu3+的掺杂并不影响MMoO4物相的形成。SEM和粒度分析结果表明：随着烧结温度的升高，产物的粒径明显增大，当烧结温度为700℃时制得的样品颗粒尺寸较小，平均粒径约为2μm，并且粒度的分布范围较窄，适合用于LED。荧光光谱测试结果表明：以616nm作为监测波长时，位于350nm以前的激发谱带属于基质MMoO4的吸收，对应于M2+——O2-、Mo6+-O2+和Eu3+——O2-的电荷迁移带。位于350 nm之后的激发峰为Eu3+的4f6态的直接激发峰，分别位于393 nm和464 nm附近，说明LxM1-2xMoO4：Eux3+荧光粉在近紫外区（UV）（393 nm）和蓝光区（464 nm）可以被有效的激发，并且393 nm，464 nm的吸收分别与目前应用的紫外光和蓝光LED芯片相匹配。当分别用393 nm的近紫外光和464 nm的可见光激发样品时，荧光粉LxM1-2xMoO4：Eux3+发出明亮的红光，发射峰对应于Eu3+的4f-4f跃迁，其中以616 nm处的5Do→7F2跃迁发光最强。当Eu3+的掺杂浓度约为25 mol％时，在616 nm处的发光强度达到最大，与没有掺杂L+的荧光粉M1-xMoO4：Eux3+相比较，因为LxM1-2xMoO4xEux3+中存在2M2+=Eu3++L+，电荷得到了补偿，所以荧光粉LxM1-2xMoO4：Eux3+的发光强度得到很大提高。因此，荧光粉LxM1-2xMoO4：Eux3+是一种可能应用在白光LED上的红色荧光材料。