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本文研究了C波段宽带功率放大器设计的相关问题,介绍了射频功率放大器的理论基础及功放的宽带技术,并设计了4-8 GHz的驱动级宽带射频功率放大器。为了改善宽带功率放大器端口驻波系数不佳的问题,采用铁氧体YIG基片设计了一款C波段的宽带微带隔离器,串联到放大链路输入端来改善驻波系数。与常规体积较大的隔离器不同,设计的微带隔离器体积小,可以集成在功率放大电路中。论文首先查阅了与本课题相关的文献资料,归纳总结了近年来国内外宽带放大器的研究进展和成果,了解宽带功率放大器的研究现状及发展前景。同时整理了近年国内外对宽带微带环形/隔离器的研究情况,了解隔离器的发展趋势。其次介绍了射频放大器的工作状态及参数指标,介绍了阻抗匹配的相关知识;通过查阅相关的文献资料,整理了目前设计宽带射频放大器常用的几种方法,并针对每一种实现宽带方法进行简单的分析。通过对比分析,得到适合本文实现宽带功能的设计方法。接着使用ADS软件设计一款C波段的宽带功率放大电路。采用了TriQuint半导体公司的GaN HEMT裸管TGF2023-2-02,功率放大器工作在AB类,直流偏置为Vds=28 V,Vgs=-3.6 V。仿真结果显示,在工作带宽范围内宽带功率放大器性能良好。接下来进行加工测试,并对仿真和测试结果进行对比和分析。隔离器能够改善端口或者级间驻波比。查阅了相关的资料,简单介绍了铁氧体材料的分类及隔离器的工作原理、参数指标。然后仿真并制作了C波段的宽带结型微带隔离器。设计了一款4~8 GHz宽带微带环形器,给出了环形器的设计方法和过程,使用双Y结技术提高了环形器的带宽,采用YIG铁氧体材料作为介质基板。使用HFSS对器件进行了仿真,仿真结果表明在3.90~9.15 GHz范围内,插入损耗a+<0.5 dB,隔离度a->15 dB,驻波比VSWR<1.46。加工测试结果显示了良好的隔离效果。