锡烯在不同拓扑绝缘体衬底上的生长机理和电子结构特性的第一性原理计算研究

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近些年来,石墨烯的成功制备和应用揭开了二维材料这门新兴热门学科研究热潮的大幕。第四主族元素Sn对应的二维材料——锡烯,相对于基于C、Si和Ge等同族元素的二维材料家族,由于其原子序数更大,具有更显著的自旋轨道耦合效应,从而带来一系列独特的优越性能,引起众多理论物理学家和实验物理学家的广泛研究兴趣。特别是最近几年里,随着实验上成功制备出单层和多层的锡烯,其诸多特殊物性比如超导电性等相继被报道。然而,迄今为止,实验上制备的锡烯的整体性能依然存在很大的提升空间,因而,研究锡烯的生长机制以及调控规律,特别是
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